在開關(guān)電源電路中，自舉電容電路是一種重要的升壓電路形式。其核心原理是利用MOS管（主要指上管）與電容相互配合，通過電源對電容進行充電操作，使得電容兩端的電壓得以高于輸入電壓Vin，從而實現(xiàn)電壓的提升。
最基本的自舉電路架構(gòu)相對簡潔，僅由一個電容構(gòu)成。然而，為了有效避免因電壓升高后出現(xiàn)回灌現(xiàn)象對原始輸入電壓造成干擾，通常會在電路設(shè)計中引入一個二極管進行隔離保護。
自舉電容電路的工作優(yōu)勢主要體現(xiàn)在能夠巧妙地借助電容兩端電壓無法突變這一固有特性來達成電壓升高的目的。
具體到自舉電路的組成與連接關(guān)系：
電容的左端被標記為VB，即Vboost，而電容的右端則對應(yīng)VS浮地。
電路中的C3扮演自舉電容的角色。
M代表感性負載，電流在其間呈現(xiàn)向右續(xù)流的狀態(tài)。
當MOS管Q開通時，假設(shè)此時自舉電容C3已經(jīng)處于充滿電的狀態(tài)，其電壓為14V。若PWM信號為1，則Q1實現(xiàn)導(dǎo)通，此時C端電壓被拉低。隨之，Q2的B端電壓也相應(yīng)降低至低電平，進而促使Q2導(dǎo)通。
此時，Q2的E端電壓達到14V，經(jīng)過Q2、D2、R4等元件后，MOS管G端的電壓大致穩(wěn)定在12V左右，從而使得Q管（MOS管）順利導(dǎo)通。由此可得出，在此過程中自舉電源的電壓需要比MOS管的驅(qū)動電壓高出約2V。
此后Q3的B端電壓高于E端，Q3則關(guān)斷。
此后Q3的B端電壓高于E端，Q3則關(guān)斷。
在Q管導(dǎo)通之后，VM（電機M作為感性負載）直接作用于Q管的S端。由于S端與電容的右端相連接，這導(dǎo)致自舉電容C3的右端電壓被抬高，大約處于24V的水平。
基于電容兩端電壓不能突變的特性，電容左邊的電壓也會隨之被抬高，此時計算得出的電壓為14V+24V=38V。該38V電壓經(jīng)由Q2、D2、R4持續(xù)供應(yīng)給Q管的G端，最終實現(xiàn)Q管的S端和G端同時被抬高至24V，且Vgs穩(wěn)定在12V的工作狀態(tài)。
而在MOS管Q關(guān)斷的情形下，當PWM信號切換為0時，Q1斷開。此時，Q2的BE極不再有電流流通路徑，進而導(dǎo)致Q2斷開。此時自舉電容的泄放致使Vgs=0，Q管隨之關(guān)閉。
此時，電機M（感性負載）的電流依然保持向右續(xù)流的方向，續(xù)流路徑為Q管的體二極管。在此過程中，C3電容右端的電壓降至-0.7V，暫時失去升壓功能。此時，二極管D1導(dǎo)通，14V電源借助D1對C3電容重新進行充電，直至充電完成。
隨后，當PWM信號再次從0切換回1時，整個工作循環(huán)重新啟動，繼續(xù)維持電路的正常運行與電壓轉(zhuǎn)換功能。
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